半導体装置の製造装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-124844
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330185
出願日： 1998年05月07日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】クラスタリングされ、かつ、一連の処理の途中で処理条件の適否を判断することのできる半導体装置の製造装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】バッファチャンバ51の周囲には、予備加熱を行なうためのデガスチャンバ53、オリエンターチャンバ55などが配置されている。トランスファチャンバ61の周囲には、エッチングチャンバ62、アニールチャンバ63、第1成膜チャンバ、第2成膜チャンバ65などが配設されている。各チャンバが大気から遮断された共通空間内に配置されている。オリエンターチャンバ55にエリプソメータが配設され、成膜,アニール,エッチング等の一連のプロセスが終了するまでウエハを製造装置外の大気にさらすことなく、基板内のイオン注入領域(アモルファス層)の厚みや、成膜した膜の厚みなどをエリプソメータにより測定することで、次の処理の条件設定などの管理が可能となる。

請求項（抜粋）：

ウエハに第1の処理を行なうための第1の反応室と、ウエハに第2の処理を行なうための第2の反応室とを少なくとも備え、上記第1の反応室及び第2の反応室を含む共通空間を大気とは遮断した雰囲気に維持することが可能に、かつ、上記第1の反応室と第2の反応室との間でウエハを搬送することが可能に構成されたクラスタリングされた半導体装置の製造装置であって、上記共通空間内のいずれかの部位にウエハを設置した状態で上記ウエハの表面状態を光学的に評価するための光学的測定手段を備えていることを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/66 , G01B 11/06 , H01L 21/265 , H01L 21/3065

FI (5件)：

H01L 21/66 Z , H01L 21/66 P , G01B 11/06 G , H01L 21/265 T , H01L 21/302 E

引用特許：

出願人引用 (3件)

真空処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-087877 出願人：株式会社日立製作所
光処理装置および光処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-153850 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
膜の面積抵抗測定
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-259108 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

審査官引用 (3件)

真空処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-087877 出願人：株式会社日立製作所
膜の面積抵抗測定
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-259108 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
光処理装置および光処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-153850 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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