半導体装置の製造方法及びそのための周辺部不要膜除去装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：天野正景 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-170212
公開番号（公開出願番号）：特開2002-367939
出願日： 2001年06月05日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】半導体装置製造過程において、CMP工程の前に、絶縁膜Iの隅角部に金属膜Mを残さないようにより完全に除去する方法及びこのための半導体ウェハの周辺部不要膜除去装置を提供し、これにより、剥離片(塵埃)が酸化膜と研磨工具との間に噛み込まれることを防止して、スクラッチの発生とそれに伴う半導体装置製造上の歩留まりの低下を防止することを課題とする。【解決手段】半導体ウェハ基材Wと、半導体ウェハ基材Wの表面に形成された絶縁膜Iと、絶縁膜Iの更に外側の表面、及び、半導体ウェハ基材Wの表面であって絶縁膜が形成されていない周辺部の表面にイ、ロ、ハのように形成された金属膜Mとを有する半導体ウェハWから、絶縁膜I表面上の金属膜MをCMPによって除去するとき、その前に、絶縁膜Iの端壁と半導体ウェハ基材Wの表面とで形成される隅角部に入り込んだ部分を含めて周辺部の金属膜Mを除去し、周辺部の金属膜Mを除去した半導体ウェハWをシャワーリンスする。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハ基材と、上記半導体ウェハ基材の表面に形成された絶縁膜と、上記絶縁膜の更に外側の表面、及び、上記半導体ウェハ基材の表面であって上記絶縁膜が形成されていない周辺部の表面に形成された金属膜とを有する半導体ウェハから、上記絶縁膜表面上の上記金属膜を化学機械研磨法によって除去する前に、上記絶縁膜の端壁と上記半導体ウェハ基材の表面とで形成される隅角部に入り込んだ部分を含めて上記周辺部の金属膜を除去する工程、上記周辺部の金属膜を除去した半導体ウェハをシャワーリンスするリンス工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 621 , H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/304 622 N , H01L 21/304 621 E , H01L 21/88 K

Fターム (6件)：

5F033HH07 , 5F033MM01 , 5F033QQ47 , 5F033QQ48 , 5F033XX00 , 5F033XX01

引用特許：

審査官引用 (5件)

金属膜の研磨方法及びその研磨装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-123940 出願人：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法およびその製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-354317 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-234347 出願人：株式会社東芝

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