特許
J-GLOBAL ID：200903031588198292
3レベルインバータの制御装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森田 雄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-202136
公開番号（公開出願番号）：特開平10-052062
出願日： 1996年07月31日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】 3レベルインバータの素子破壊を防ぎ、異なる変調方式間の移行を容易にする。【解決手段】 3レベルインバータの制御装置において、搬送波の振幅を越えない第1の制限値Lmaxを設定する制限値設定回路3と、第1の制限値を越えない第2の制限値Lsを設定する制限値設定回路5と、2つの電圧指令の一方が第1の制限値を越えるときはその電圧指令を第1の制限値に制限する制限回路31,32と、第1の制限値を越えた電圧指令から第1の制限値を差し引いた値を補正量として他方の電圧指令に加算するための補正量演算回路36,37、加算器67,68と、前記他方の電圧指令が第2の制限値を越える時はその電圧指令を第2の制限値に制限する制限回路33,34とを備える。
請求項（抜粋）：
直流電源両端の正電位点及び負電位点とこれらの間の中性点との間に接続された直流入力コンデンサを有する直流電源回路を備え、第1〜第4の半導体スイッチング素子からなる3つの直列回路の両端が前記正電位点及び負電位点にそれぞれ接続されると共に、第2及び第3の半導体スイッチング素子の相互接続点が1相分の出力端子に接続され、第1及び第2の半導体スイッチング素子と前記中性点との間に第1の結合ダイオードが接続され、かつ、第3及び第4の半導体スイッチング素子と前記中性点との間に第2の結合ダイオードが接続されてなるインバータの各相電圧指令に、あるバイアス量を加算または減算して得た2つの電圧指令のそれぞれを搬送波と比較してPWM信号を発生する3レベルインバータの制御装置において、搬送波の振幅を越えない第1の制限値を設定する手段と、第1の制限値を越えない第2の制限値を設定する手段と、前記2つの電圧指令の一方が第1の制限値を越えるときはその電圧指令を第1の制限値に制限する手段と、第1の制限値を越えた電圧指令から第1の制限値を差し引いた値を補正量として他方の電圧指令に加算する手段と、前記他方の電圧指令が第2の制限値を越える時はその電圧指令を第2の制限値に制限する手段と、を備えたことを特徴とする3レベルインバータの制御装置。
IPC (3件)：
H02M 7/48
, H02M 7/5387
, H03K 7/08
H02M 7/48 Q
, H02M 7/48 F
, H02M 7/5387 Z
, H03K 7/08 C
