特許
J-GLOBAL ID:200903031632235419

弾性表面波共振子、その製造方法、及び弾性表面波フィルタ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 柿本 恭成
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-168523
公開番号(公開出願番号):特開平8-032400
出願日: 1994年07月21日
公開日(公表日): 1996年02月02日
要約:
【要約】【目的】 スプリアスのない高周波の弾性表面波を共振する。【構成】 入力端子2に数MHz以上の高周波信号が入力されると電気的に入力端子2と接続するトランスデューサ21の電極指に高周波電圧がかかり、隣接する出力端子3と電気的に接続するトランスデューサ21の電極指に誘導的に高周波電圧が発生するが、位相的に遅れているため両端子2,3間に電位差が生じる結果となる。これによって、トランスデューサ21下の圧電基板1の表面が歪み、入力信号と同じ周波数の弾性表面波が励振する。トランスデューサ21上には絶縁膜22を介して厚膜23が形成されているので、この弾性表面波のスプリアスの原因となるレーリー波の発生は抑制され、ラブ波だけが支配的になる。しかも、トランスデューサ4の膜厚は従来と同様に膜厚は、0.1μmであり、この膜厚であれば、高周波を励振することができる。すなわち、スプリアスのない高周波が励振する。
請求項(抜粋):
電気信号を入力し、弾性表面波を圧電基板に発生する弾性表面波共振子において、前記圧電基板上に所望の共振周波数の前記弾性表面波を励起する膜厚のアルミニウムまたはアルミニウムを主材料とする合金からなるすだれ状のトランスデューサと、前記トランスデューサ上に絶縁膜と、前記絶縁膜上にスプリアスの発生を抑制する膜厚の金属の厚膜とを、備えたことを特徴とする弾性表面波共振子。
IPC (2件):
H03H 9/145 ,  H03H 3/08
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る