半導体集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-282922
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124928
出願日： 1994年10月21日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】半導体集積回路における設計の自由度を向上し、かつチップサイズを大きくすることなく素子に対し大電流の供給を可能とする。【構成】半導体基板1に形成される電源配線7と接地配線9とを信号配線4と異なる独立した配線層として形成する。これら電源配線7と接地配線9とは半導体基板1の全面にわたって形成され、かつそれぞれの配線は半導体基板に形成した素子に対して個々に接続される。素子を半導体基板の任意の位置に形成でき、かつ電源配線7及び接地配線9と素子とのコンタクト10,11を半導体基板1の任意の位置に配置でき、信号配線4や素子を配設する位置や領域に制限を受けることがなく、設計の自由度を高め、かつ半導体集積回路の高集積化が可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に素子が形成され、かつ前記半導体基板上に複数の配線層が形成され、これら配線層は前記素子に接続される信号配線、電源配線、及び接地配線を含んでいる半導体集積回路において、前記電源配線と接地配線とは前記信号配線と異なる独立した配線層として形成され、かつこれら電源配線と接地配線とは前記半導体基板の全面にわたって形成され、かつそれぞれの配線と前記素子に対して個々に接続されたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 Z , H01L 21/90 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-132835
特開平3-008360
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-010631 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

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