特許
J-GLOBAL ID：200903031649858037

有機トランジスタ並びに有機電子デバイス及びその製造方法

発明者：
藤崎 好英

藤崎 好英 について

, 
飯野 芳己

飯野 芳己 について

, 
菊池 宏

菊池 宏 について


出願人/特許権者：
日本放送協会

日本放送協会 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-188190
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031801
出願日： 2002年06月27日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
【課題】絶縁性の優れた絶縁膜、及び有機分子の結晶成長が促進された有機半導体膜を有する有機電子トランジスタ及び該有機電子トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】有機トランジスタは、基板1に形成されたゲート電極2、ゲート電極2に形成されたゲート絶縁膜3、ゲート絶縁膜3に形成された、塗れ性の高い有機材料を含む第一の有機膜4、第一の有機膜4に形成された、疎水基を有する複数の有機分子からなる有機材料を含む第二の有機膜5、第二の有機膜5に形成された、有機半導体材料を含む有機半導体膜6、並びに有機半導体膜6に形成されたソース電極7及びドレイン電極8、を有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくとも二つの電極、少なくとも一つの該電極に形成された少なくとも一つの絶縁膜、少なくとも一つの前記絶縁膜に形成された塗れ性の高い有機材料を含む少なくとも一つの第一の有機膜、該少なくとも一つの第一の有機膜に形成された疎水基を有する有機材料を含む少なくとも一つの第二の有機膜、及び該少なくとも一つの第二の有機膜に形成された、有機半導体材料を含む少なくとも一つの有機半導体膜、を有することを特徴とする有機電子デバイス。
IPC (4件)：
H01L29/786 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L51/00
FI (6件)：
H01L29/78 618B ,  H01L21/312 N ,  H01L21/316 M ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/28
Fターム (35件)：
5F058AC10 ,  5F058AD10 ,  5F058AF04 ,  5F058AH10 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD15 ,  5F058BD18 ,  5F058BD19 ,  5F058BF12 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA12 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110EE04 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF24 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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