特許
J-GLOBAL ID：200903031659397208
負電圧昇圧回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-050813
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252969
出願日： 2001年02月26日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：
【要約】【課題】各昇圧単位回路を構成する電荷転送用MOSトランジスタに寄生するバイポーラトランジスタのエミッタ接地電流増幅率hfeが大きくなった場合でも、昇圧効率が低下しない負電圧昇圧回路を提供する。【解決手段】入力端INが接地電位GNDに接続された昇圧単位回路CP0’と、複数の昇圧単位回路CP1’〜CP5’・・・CPN’と、出力電圧VPN’を生成する最終段の昇圧単位回路CPN’の出力端子Outを備えて構成され、N型MOSトランジスタMN0,MN1・・の各チャネル領域を形成する各P型ウェルを、各N型MOSトランジスタMN0,MN1・・で構成する各昇圧単位回路CP1’〜CP5’の出力端でバイアスするのでなく、それぞれ出力方向に対して2段先の昇圧単位回路CP3’〜の出力端でバイアスする。
請求項（抜粋）：
ソース又はドレインの一端を入力端に接続し、他端を出力端に接続した電荷転送用MOSトランジスタを含み負電圧に昇圧する昇圧単位回路を、入力端子と出力端子間に複数直列接続し、前記出力端子に負電圧を生成する負電圧昇圧回路において前記電荷転送用MOSトランジスタのチャネル領域を形成するウェル領域を、出力方向に対して少なくとも2段先の前記単位昇圧回路の前記出力端の電位でバイアスすることを特徴とする負電圧昇圧回路。
IPC (3件)：
H02M 3/07
, H01L 27/04
, H01L 21/822
5F038AV06
, 5F038BB01
, 5F038BG03
, 5F038CD06
, 5F038DF06
, 5F038EZ20
, 5H730BB02
, 5H730BB57
, 5H730BB86
, 5H730DD03
, 5H730FG01
, 5H730ZZ05
, 5H730ZZ11
, 5H730ZZ15
