レーザダイオードモジュールの冷却方法およびレーザダイオードモジュールからなる光源

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：川和高穂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-169012
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368326
出願日： 2001年06月05日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】個々のレーザダイオードモジュールの特性に応じて放熱を制御することができる、高い密度で配置された、高光出力の複数個のレーザダイオードモジュールからなる光源を提供する【解決手段】レーザダイオードチップおよび光学機器を搭載する基板、および、前記基板と熱的に接続されたペルチェモジュールを備えている、高い密度で配置された、高光出力の複数個のレーザダイオードモジュール、前記レーザダイオードモジュールのそれぞれの前記ペルチェモジュールに熱的に接続されたファン付ヒートシンク、および、前記ペルチエモジュールおよび前記ファンを制御するファン用制御部を備えている、レーザダイオードモジュールからなる光源。

請求項（抜粋）：

レーザダイオードチップおよび光学機器を搭載する基板、および、前記基板と熱的に接続されたペルチェモジュールを備えている、高い密度で配置された、高光出力の複数個のレーザダイオードモジュール、前記レーザダイオードモジュールのそれぞれの前記ペルチェモジュールに熱的に接続されたファン付ヒートシンク、および、前記ペルチエモジュールおよび前記ファンを制御するファン用制御部を備えている、レーザダイオードモジュールからなる光源。

IPC (6件)：

H01S 5/024 , F25B 21/02 , F28D 15/02 , G02B 6/42 , H01L 23/38 , H01L 23/427

FI (7件)：

H01S 5/024 , F25B 21/02 D , F25B 21/02 T , F28D 15/02 M , G02B 6/42 , H01L 23/38 , H01L 23/46 B

Fターム (17件)：

2H037BA03 , 2H037CA09 , 2H037CA10 , 2H037DA18 , 2H037DA38 , 5F036AA01 , 5F036BA23 , 5F036BB01 , 5F036BB60 , 5F073AB28 , 5F073BA02 , 5F073EA03 , 5F073FA14 , 5F073FA25 , 5F073FA26 , 5F073GA23 , 5F073GA37

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-353920 出願人：新日本製鐵株式会社
光伝送装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-333594 出願人：松下電器産業株式会社
光半導体モジュールの試験用カセット
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-218903 出願人：富士通カンタムデバイス株式会社

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