単結晶成長方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：柳舘隆彦 , 吉田正二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-353602
公開番号（公開出願番号）：特開2004-182560
出願日： 2002年12月05日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：

【課題】鞍型コイルを用いたHMCZ法において問題となる引上げ中の結晶径の急増現象を阻止して、安定な結晶引上げを可能にする。坩堝回転数を上げずに酸素濃度を上昇させることにより、MCZ法において坩堝回転数を上げたときに問題となる酸素濃度の面内分布の悪化を回避する。【解決手段】チャンバ7内の坩堝1に収容された原料融液13に水平磁場を印加するために、坩堝1を挟んで対向配置されたコイル30a,30bを、チャンバの外形に沿って湾曲した鞍型コイルとする。コイル30a,30bの中心線C-Cを、坩堝1内の原料融液13の表面から深さ方向に100mm以上離れた位置に設定する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

坩堝を挟んで対向配置されたコイルにより、チャンバ内の坩堝に収容された原料融液に水平磁場を印加しつつ、前記原料融液から単結晶を引上げる単結晶成長方法において、前記コイルの形状を、前記チャンバの外形に沿って湾曲した鞍型形状とし、前記コイルの中心線を、前記坩堝内の原料融液の表面から深さ方向に100mm以上離れた位置に設定することを特徴とする単結晶成長方法。

IPC (2件)：

C30B29/06 , C30B15/00

FI (2件)：

C30B29/06 502G , C30B15/00 Z

Fターム (8件)：

4G077AA02 , 4G077BA04 , 4G077CF10 , 4G077EB06 , 4G077EH04 , 4G077EJ02 , 4G077HA12 , 4G077PA06

引用特許：

審査官引用 (5件)

単結晶製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-276105 出願人：三菱製鋼株式会社, テクノ電気工業株式会社
特開昭60-033288
特開昭60-033288

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