特許
J-GLOBAL ID：200903031675041324

半導体装置

発明者：
田中 宏明

田中 宏明 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-338982
公開番号（公開出願番号）：特開2008-153389
出願日： 2006年12月15日
公開日（公表日）： 2008年07月03日
要約：
【課題】 ターンオフ時のサージ電圧が抑制できるとともに、容易に製造することができる半導体装置を提供する。【解決手段】 n型(第1導電型)のエミッタ領域60(第1半導体領域)と、p型(第2導電型)のボディ領域50(第2半導体領域)と、n型のドリフト領域40(第3半導体領域)と、エミッタ領域60の表面からボディ領域50を貫通しており、その底面16がドリフト領域40に突出しているとともに、幅を隔てて向かい合っている一対の側面を備えているトレンチ14と、トレンチ14の内面を覆っている絶縁層12と、絶縁層12で取り囲まれた状態でトレンチ14内に収容されているトレンチゲート電極13と、トレンチ14の側面に沿って形成されているとともに、トレンチ14の側面に接するボディ領域50を残存させている埋め込み絶縁体70を備えている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体層の表面に臨んで形成されている第1導電型の第1半導体領域と、 第1半導体領域を取り囲んで形成されている第2導電型の第2半導体領域と、 第2半導体領域の下部に形成されており、第2半導体領域によって第1半導体領域から分離されている第1導電型の第3半導体領域と、 第1半導体領域の表面から第2半導体領域を貫通しており、その底面が第3半導体領域に突出しているとともに、幅を隔てて向かい合っている一対の側面を備えているトレンチと、 トレンチの内面を覆っている絶縁層と、 絶縁層で取り囲まれた状態でトレンチ内に収容されているトレンチゲート電極と、 トレンチの側面に沿って形成されているとともに、トレンチの側面に接する第2半導体領域を残存させている埋め込み絶縁体、 を備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
H01L29/78 652K ,  H01L29/78 655B ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652E ,  H01L29/78 658F
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-356828   出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
審査官引用 (3件)
  • 電力用半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-294316   出願人：株式会社東芝
  • 縦型半導体装置およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-037590   出願人：株式会社豊田中央研究所
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-356828   出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社

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