特許
J-GLOBAL ID：200903031682622383
検知方法、膜厚計測方法、検知装置、膜厚計測装置、及び研磨装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-273864
公開番号（公開出願番号）：特開2000-186918
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置製造工程における、半導体素子の表面の絶縁層あるいは金属層の研磨工程において、パターンのある部分でもデバイスパターンに依存せず膜厚または工程終了点を光学的に正確に検知する、コンパクトで、安価、且つ測定時間が短い検知装置、検知方法、膜厚計測方法、膜厚計測装置、及び研磨装置を提供することにある。【解決手段】プローブ光を半導体素子表面に照射して得られる信号光の0次光(正反射成分または正透過成分)のみを選別し、1次以上の光を非選別し、選別された次数光のみを検出することによって上記課題を解決した。
請求項（抜粋）：
半導体装置製造工程における、半導体素子の表面の絶縁層あるいは金属層の除去工程において、前記半導体素子が形成されたウェハの被研磨面の一部または全部にプローブ光を照射して得られる信号光(即ち反射光または透過光)の検出により前記除去工程の工程終了点または除去膜厚を検知する方法であって、前記信号光の0次光(正反射成分または直進透過の成分)のみを選別し、1次以上の光及び散乱光を非選別し、前記選別された次数光のみを検出することを特徴とする検知方法。
IPC (2件)：
G01B 11/06
, H01L 21/304 622
G01B 11/06 Z
, H01L 21/304 622 S
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
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