特許
J-GLOBAL ID：200903031684257780
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-053606
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256188
出願日： 1997年03月07日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 簡潔な方法によって信頼性の高い微細の半導体素子を有する半導体装置を製造することができるようにする。【解決手段】 半導体素子の所定の半導体領域上にシリサイド層が形成され、他の所定部に素子分離絶縁層等の絶縁層が形成される半導体装置の製造方法であり、その半導体基板上に、第1のシリコン層を、半導体基板表面の上記シリサイド層を形成する部分に直接接触させ、かつ上記絶縁層の形成部分においては排除されたパターンに形成する工程と、上記絶縁層の形成部以外に耐酸化マスク層を形成する工程と、この耐酸化マスク層をマスクとして半導体基板に対して酸化選択的に酸化を行って上記絶縁層の形成を行う酸化処理工程と、上記耐酸化マスク層を除去する工程と、第1のシリコン層上を覆って金属層を形成する工程と、第1のシリコン層と上記金属層とを反応させてシリサイド層39を形成する熱処理工程より成る。
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成される半導体素子の所定の半導体領域上にシリサイド層が形成され、他の所定部に絶縁層が形成される半導体装置の製造方法において、上記半導体基板上に、第1のシリコン層を、上記半導体基板表面の上記シリサイド層を形成する部分に直接接触させ、かつ上記絶縁層の形成部分においては排除されたパターンに形成する工程と、上記絶縁層の形成部以外に耐酸化マスク層を形成する工程と、該耐酸化マスク層をマスクとして上記半導体基板に対して選択的酸化を行って上記所定部に上記絶縁層の形成を行う酸化処理工程と、上記耐酸化マスク層を除去する工程と、上記第1のシリコン層上を覆って金属層を形成する工程と、上記第1のシリコン層と上記金属層とを反応させてシリサイド層を形成する熱処理工程と、上記金属層の、上記第1のシリコン層との反応がなされていない部分をエッチング除去する工程とを採って上記所定の半導体領域に少なくとも一部が連接するシリサイド層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
, H01L 29/78
H01L 21/28 301 T
, H01L 21/88 Q
, H01L 29/78 301 R
