特許

J-GLOBAL ID：200903031706025594

圧電体膜の製造方法、圧電体素子の製造方法、インクジェット式記録ヘッドの製造方法

発明者： 角 浩二
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-179690
公開番号（公開出願番号）：特開2008-010880
出願日： 2007年07月09日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：

【課題】粒径の大きな結晶粒を得ると共に、粒界に空隙が生じることを防止して膜の絶縁性および圧電特性を向上させた圧電体膜及びこれを用いた圧電体素子を提供する。【解決手段】多結晶体で構成される圧電体膜において、粒径分布のピークを少なくとも2つ有し、前記2つのピークのうち大粒径側の結晶粒の粒径が1000nm以上、小粒径側のピークは10nm以上500nm以下である。これら結晶粒は柱状結晶であることが望ましい。膜厚方向の電気抵抗は1.0MΩ以上である。製造方法は、基板上に圧電体前駆体膜を形成し、この圧電体前駆体膜を結晶化させる工程を複数回繰り返すものであって、前記圧電体前駆体膜の形成時の前記工程1回あたりの膜厚は、結晶化後に基板全面を被覆しない厚さ(結晶化時に100nm以下)とする。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

多結晶体で構成される圧電体膜において、粒径分布のピークを少なくとも2つ有し、前記2つのピークのうち大粒径側の結晶粒の粒径が1000nm以上であることを特徴とする圧電体膜。

IPC (8件)：

H01L 41/09 ,  H01L 41/24 ,  H01L 41/22 ,  H01L 41/187 ,  C04B 35/49 ,  B41J 2/16 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055

FI (11件)：

H01L41/08 C ,  H01L41/08 J ,  H01L41/22 A ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101C ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101J ,  C04B35/49 A ,  B41J3/04 103H ,  B41J3/04 103A

Fターム (21件)：

2C057AF93 ,  2C057AG12 ,  2C057AG42 ,  2C057AG44 ,  2C057AP02 ,  2C057AP14 ,  2C057AP51 ,  2C057AP54 ,  2C057AP56 ,  2C057AP57 ,  2C057AP58 ,  2C057BA03 ,  2C057BA14 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA32 ,  4G031BA10 ,  4G031CA01 ,  4G031CA04 ,  4G031CA05 ,  4G031CA08

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の強誘電体薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-124769   出願人：沖電気工業株式会社
• 圧電体素子、インクジェット式記録ヘッドおよびそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-123734   出願人：セイコーエプソン株式会社