半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (6件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-153228
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356439
出願日： 2003年05月29日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】半導体プロセス中での金属酸化物誘電体膜の還元を防止できる、金属酸化物誘電体膜/電極の積層構造を含む半導体装置を提供することにある。【解決手段】半導体装置は、シリコン基板1と、シリコン基板1上に設けられたキャパシタ誘電体膜としてのTaO膜16と、TaO膜16上に設けられ、酸素とルテニウムを含み、かつTaO膜16との界面側で酸素濃度がピークになる酸素濃度分布を厚さ方向に有する上部電極としてのルテニウム膜17とを備えている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた金属酸化物誘電体膜と、前記金属酸化物誘電体膜上に設けられ、触媒作用を有する貴金属と酸素とを含み、かつ前記金属酸化物誘電体膜との界面側で酸素濃度が最大となる酸素濃度分布を厚さ方向に有する電極とを具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L21/8242 , H01L21/336 , H01L27/108 , H01L29/78

FI (5件)：

H01L27/10 651 , H01L27/10 621C , H01L27/10 621B , H01L29/78 301G , H01L29/78 301P

Fターム (58件)：

5F083AD10 , 5F083AD21 , 5F083AD24 , 5F083AD42 , 5F083AD48 , 5F083AD49 , 5F083AD56 , 5F083GA27 , 5F083JA02 , 5F083JA06 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083PR13 , 5F083PR18 , 5F083PR21 , 5F083PR23 , 5F083PR34 , 5F083PR40 , 5F140AA00 , 5F140AB09 , 5F140AC32 , 5F140AC39 , 5F140BA01 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD15 , 5F140BD17 , 5F140BE03 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BF32 , 5F140BF37 , 5F140BG08 , 5F140BG09 , 5F140BG11 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG36 , 5F140BG44 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BK13 , 5F140CB04 , 5F140CE07 , 5F140CE16

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体デバイスのキャパシタ製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-173571 出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
誘電体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-047488 出願人：富士通株式会社
容量素子及びその製造方法並びに半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-332706 出願人：富士通株式会社, ウィンボンドエレクトロニクスコープ, 株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る