特許
J-GLOBAL ID：200903015552421143
半導体デバイスのキャパシタ製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-173571
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040778
出願日： 1998年06月19日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】 キャパシタの逆方向漏洩電流を効率的に減少させてデバイスの特性を向上させることができる半導体デバイスのキャパシタ製造方法を提供すること。【解決手段】 誘電体に接触する電極層を形成させるときに、その電極層に酸素が含まれるように、酸素を供給する。かくして、電極の酸素濃度が増加し、酸素濃度の低下による漏洩電流の増加を抑えることができる。
請求項（抜粋）：
下部電極層、その上の誘電体層、その上の上部電極層からなるキャパシタの少なくとも上部電極層の誘電体層に隣接した部分に酸素が含まれるように少なくとも上部電極層は酸素を供給しながら形成することを特徴とする半導体デバイスのキャパシタ製造方法。
IPC (5件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/203
, H01L 21/285
, H01L 21/285 301
H01L 27/10 651
, H01L 21/203 S
, H01L 21/285 S
, H01L 21/285 301 R
