特許
J-GLOBAL ID:200903031722928952
炭素膜、炭素膜の成膜方法、および炭素膜被覆部材
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
亀井 弘勝 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-342218
公開番号(公開出願番号):特開2003-147508
出願日: 2001年11月07日
公開日(公表日): 2003年05月21日
要約:
【要約】【課題】ダイヤモンド膜あるいはダイヤモンド状炭素膜に代わって、工具、金型、機械部品などの耐磨耗性および耐久性を向上させるための炭素膜を提供する。【解決手段】密度が2.8〜3.3g/cm3である炭素膜であって、当該膜はスピン密度が1×1018〜1×1021spins/cm3、炭素濃度が99.5原子%以上、水素濃度が0.5原子%以下、希ガス元素濃度が0.5原子%以下、ヌープ硬度が2000〜6000であることが好ましい。この炭素膜は、カソードアークイオンプレーティング法またはレーザーアブレーション法で、固体炭素を原料とし、真空度0.05Pa以下の雰囲気下で、水素および希ガス元素を含むガスを雰囲気に導入しないことにより、成膜できる。この炭素膜が被覆された炭素膜被覆部材は、耐磨耗性および耐久性に優れている。
請求項(抜粋):
密度が2.8g/cm3以上3.3g/cm3以下であることを特徴とする炭素膜。
IPC (2件):
FI (2件):
C23C 14/06 F
, B23B 27/14 A
Fターム (11件):
3C046FF09
, 4K029AA02
, 4K029BA34
, 4K029BC02
, 4K029BD03
, 4K029BD05
, 4K029CA01
, 4K029CA03
, 4K029DB20
, 4K029EA03
, 4K029EA05
引用特許:
引用文献: