特許
J-GLOBAL ID:200903031724005843

無電解メッキ膜付電子部品の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐野 忠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-084626
公開番号(公開出願番号):特開平8-264372
出願日: 1995年03月17日
公開日(公表日): 1996年10月11日
要約:
【要約】【目的】例えばチップ状電子部品の外部電極のメッキ膜の膜厚を均一にすることができるようにし、しかもヒートサイクル試験や熱衝撃試験による熱応力に耐えられるようにするために無電解メッキ膜を利用すること。【構成】通常より酸素濃度の高い無電解メッキ液を用いてメッキ膜を形成するか、通常の酸素濃度の無電解メッキ液を用いてメッキ膜を形成しさらに熱処理する。また、両方を行う。【効果】無電解メッキ膜の延性が増加し、膜硬度が低下する。これによりヒートサイクル試験や熱衝撃試験による熱応力に耐えられる無電解メッキ膜が得られる。
請求項(抜粋):
無電解メッキ膜を空気存在下の無電解メッキ液に通常含有されるている溶存酸素の量より多い酸素を有する無電解メッキ液を用いて形成する高酸素無電解メッキ工程及び空気存在下の無電解メッキ液に通常含有されるている溶存酸素以下の酸素を含有する無電解メッキ液を用いて形成した後熱処理を行う熱処理併用無電解メッキ工程の少なくとも1つの工程を含む無電解メッキ膜形成工程を有する無電解メッキ膜付電子部品の製造方法。
IPC (8件):
H01G 4/12 364 ,  C23C 18/16 ,  C23C 18/52 ,  H01C 7/02 ,  H01C 7/04 ,  H01C 17/28 ,  H01F 27/29 ,  H01F 41/02
FI (8件):
H01G 4/12 364 ,  C23C 18/16 C ,  C23C 18/52 Z ,  H01C 7/02 ,  H01C 7/04 ,  H01C 17/28 ,  H01F 41/02 G ,  H01F 15/10 C
引用特許:
審査官引用 (9件)
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