特許
J-GLOBAL ID：200903031729902371

磁性体のパターニング方法、磁気記録媒体、磁気ランダムアクセスメモリ

発明者：
鎌田 芳幸

鎌田 芳幸 について

, 
内藤 勝之

内藤 勝之 について

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稗田 泰之

稗田 泰之 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-399848
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359138
出願日： 2001年12月28日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：
【要約】【課題】 強磁性体のパターニングを、簡易化された製造方法で提供する。【解決手段】 基板上にFe,Co,Niのいずれかの元素を含む強磁性体層を形成し、強磁性体層表面を選択的にマスクし、露出部をハロゲンを含む反応ガスに曝し、化学反応により該露出部およびその下層を、化学的に磁性を変質させ、非強磁性体領域とする。
請求項（抜粋）：
Fe、Co及びNiから選ばれる少なくとも一種の元素を含む強磁性体層を形成する工程と、前記強磁性体層表面を選択的にマスクする工程と、前記強磁性体層表面の露出部をハロゲンを含む活性な反応ガス若しく反応液に曝し、化学反応により前記露出部およびその下層を、前記反応ガス若しくは前記反応液中の成分との化合物に変質させ、非強磁性化する反応工程とを有することを特徴とする磁性体のパターニング方法。
IPC (8件)：
H01F 41/34 ,  G11B 5/64 ,  G11B 5/65 ,  G11B 5/82 ,  G11B 5/84 ,  H01F 10/16 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08
FI (8件)：
H01F 41/34 ,  G11B 5/64 ,  G11B 5/65 ,  G11B 5/82 ,  G11B 5/84 Z ,  H01F 10/16 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
Fターム (20件)：
5D006BB02 ,  5D006BB05 ,  5D006BB07 ,  5D006EA04 ,  5D006FA09 ,  5D112AA05 ,  5D112BB02 ,  5D112BB05 ,  5D112BB10 ,  5D112GA02 ,  5D112GA25 ,  5D112GA26 ,  5E049AA04 ,  5E049BA06 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA27 ,  5F083JA20 ,  5F083JA60
引用特許：
審査官引用 (3件)

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