磁性体薄膜の加工方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-215412
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130572
出願日： 1994年09月09日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】材料選択性、経済性に優れ、低温でも磁性体薄膜に微細なパターニングを精度よく施すことが可能な磁性体薄膜の加工方法を提供する。【構成】 Fe,Co及びNiの少なくとも1種を含有する磁性材料からなる磁性体薄膜上に所定のパターンを有するマスクを配置し、前記磁性体薄膜の露出部に反応性ガスを供給して前記磁性材料と反応させた後露出部の磁性体薄膜を除去することにより前記磁性体薄膜に所望のパターニングを施す磁性体薄膜の加工方法において、活性化されたハロゲン系ガスと水蒸気との混合ガス、あるいは活性化された一酸化炭素または炭化水素系五員環化合物のガスを反応性ガスとして前記磁性材料と反応させる。

請求項（抜粋）：

Fe,Co及びNiの少なくとも1種を含有する磁性材料からなる磁性体薄膜上に所定のパターンを有するマスクを配置し、前記磁性体薄膜の露出部に反応性ガスを供給して前記磁性材料と反応させた後露出部の磁性体薄膜を除去することにより前記磁性体薄膜に所望のパターニングを施す磁性体薄膜の加工方法において、前記反応性ガスが活性化されたハロゲン元素及び水蒸気を含有することを特徴とする磁性体薄膜の加工方法。

IPC (2件)：

H01F 41/14 , C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平3-097877
特開平4-107281
特開昭60-228687

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