電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-057684
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260978
出願日： 1999年03月04日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 V族がAsであるチャネル層とV族がPである電子供給層を有する2次元電子ガス電界効果トランジスタに関し、高性能を発揮でき、かつ、大量生産に適した積層構造及び製造方法を提供する。【解決手段】チャネル層112と電子供給層114との間に電子供給層114よりも大きい電子親和力を有し、III族元素としてIn、V族元素としてAs、Pのみをその構成要素とするIII-V族化合物半導体で構成されるサブチャネル層113を挿入する。また、チャネル層成膜工程と電子供給層との間にサブチャネル層成膜工程を設ける。

請求項（抜粋）：

III-V族半導体基板と、チャネル層と、電子供給層と、ゲート電極とを備え、前記電子供給層と前記チャネル層とのヘテロ界面に生じる二次元電子ガスを前記ゲート電極により制御する電界効果トランジスタにおいて、前記チャネル層が、V族がAsであり、かつIII族として少なくともGaを含むIII-V族化合物半導体で構成され、前記電子供給層が、前記チャネル層よりも電子親和力が小さく、V族がPであるIII-V族化合物半導体で構成され、前記チャネル層と前記電子供給層との間に介在するサブチャネル層を備え、前記サブチャネル層が、前記電子供給層よりも大きい電子親和力を有し、III族元素としてIn、V族元素としてAs、Pのみをその構成要素とするIII-V族化合物半導体で構成されることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 29/80 H , H01L 21/205

Fターム (36件)：

5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB10 , 5F045AB11 , 5F045AB12 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AB19 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AD10 , 5F045AE23 , 5F045AF04 , 5F045BB05 , 5F045BB08 , 5F045DA52 , 5F045EE12 , 5F045EE18 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ05 , 5F102GJ06 , 5F102GL04 , 5F102GL05 , 5F102GM04 , 5F102GN05 , 5F102GQ01 , 5F102GQ02 , 5F102GR04 , 5F102GS02 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC11 , 5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-102233 出願人：シャープ株式会社
電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-048514 出願人：日本電気株式会社
特開平4-144244

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