特許
J-GLOBAL ID：200903031810311833
半導体受光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-306200
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162663
出願日： 1994年12月09日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【目的】 メサ界面のダングリングボンドをなくし、APD特性の経時的劣化を抑制し、その結果、寿命10万時間以上を有する高感度,高速特性および高信頼性を得る。【構成】 InP基板1上にn+ 型InPバッファ層2,n+ 型InAlAsバッファ層3,ノンドープn- 型ヘテロ周期構造増倍層4,p+ 型InP電界緩和層5,p- 型InGaAs光吸収層6,p+ 型InPキャップ層7およびp+ 型InGaAsコンタクト層8をそれぞれ順次積層して形成された素子構造のメサ側面Sに高抵抗InAlAs層17′とn+ 型InAlAs空乏層終端層18′とからなるエピタキシャル多重層を設ける。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に少なくとも光吸収層および増倍層を積層形成してなるメサ型構造を有する半導体受光素子において、前記メサ型構造のメサ側面に高抵抗層と、前記半導体基板と同一導電型の高濃度層とからなるエピタキシャル多重層を設けたことを特徴とする半導体受光素子。
引用特許：
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