特許

J-GLOBAL ID：200903066432924757

半導体装置

発明者： 寺島 知秀
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-353945
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158348
出願日： 2000年11月21日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：

【要約】【課題】 耐圧の向上が図られる半導体装置を提供する。【解決手段】 P-シリコン基板1とN-エピタキシャル層2との間には、N+埋め込み拡散領域3が形成され、N+埋め込み拡散領域3とN-エピタキシャル層2との間には、P+埋め込み拡散領域4が形成されている。N-エピタキシャル層2の表面にはN拡散領域7、P拡散領域6およびN拡散領域8が形成されている。N拡散領域8の略直下に位置するP+埋め込み拡散領域4の表面は、N拡散領域8から遠ざかるように窪んでおり、この部分にくびれ64が形成されている。

請求項（抜粋）：

主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板の主表面上に形成された第1導電型の半導体層と、前記半導体層と前記半導体基板との間に形成された第1導電型の第1埋め込み不純物領域と、前記第1埋め込み不純物領域と前記半導体層との間に形成された第2導電型の第2埋め込み不純物領域と、前記半導体層の表面に形成され、前記第2埋め込み不純物領域に電気的に接続される第2導電型の第1不純物領域と、前記第2埋め込み不純物領域の上方の領域に位置する前記半導体層の表面またはその内部に形成された第1導電型の第2不純物領域と、前記第1不純物領域および前記第2不純物領域を含み、前記半導体層の表面に形成されたスイッチング機能を有する半導体素子とを備え、前記半導体素子がオフ状態においては、前記第2埋め込み不純物領域と前記半導体層との界面から延びる空乏層によって耐圧が確保され、前記第2埋め込み不純物領域は、前記第2不純物領域の略直下に位置する部分において前記第2埋め込み不純物領域の表面が前記第2不純物領域から遠ざかる方向に窪んだ第1窪み部、または、前記第2埋め込み不純物領域が途切れている第1隙間部を含む、半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 655 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (6件)：

H01L 29/78 652 G ,  H01L 29/78 655 Z ,  H01L 29/78 301 D ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/78 301 X

Fターム (19件)：

5F003AP00 ,  5F003BA91 ,  5F003BC08 ,  5F003BC90 ,  5F003BN01 ,  5F040DA13 ,  5F040DA22 ,  5F040DB07 ,  5F040DC01 ,  5F040EB01 ,  5F040EB14 ,  5F040EC18 ,  5F040ED09 ,  5F040EF18 ,  5F040EK01 ,  5F040EM01 ,  5F040EM03 ,  5F040FC00 ,  5F040FC05

引用特許：

審査官引用 (6件)

• ダイオードおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-131903   出願人：エスジーエス-トムソン・マイクロエレクトロニクス・ソチエタ・ア・レスポンサビリタ・リミタータ
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-365396   出願人：日産自動車株式会社
• 半導体装置およびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-217075   出願人：ローム株式会社
• 特開平4-196360
  
• 特開平2-122672
  
• 横型パワーMOSFET
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-127833   出願人：日産自動車株式会社