特許
J-GLOBAL ID:200903031851524205
酸化物透明導電性薄膜の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-226627
公開番号(公開出願番号):特開2002-042583
出願日: 2000年07月27日
公開日(公表日): 2002年02月08日
要約:
【要約】【課題】高価な真空装置や厳密な製造条件の制御を必要とすることなく組成制御が可能な酸化物透明導電性薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 高分子重合体配位子が金属に配位されてなる高分子金属錯体の溶液を基板に塗布し、その塗膜を焼成する金属酸化物薄膜の製造方法である。
請求項(抜粋):
高分子重合体配位子が金属に配位されてなる高分子金属錯体の溶液を基板に塗布し、その塗膜を焼成することを特徴とする酸化物透明導電性薄膜の製造方法。
IPC (5件):
H01B 13/00 503
, B05D 3/02
, B05D 5/12
, C01G 19/00
, C23C 18/12
FI (5件):
H01B 13/00 503 B
, B05D 3/02 Z
, B05D 5/12 B
, C01G 19/00 A
, C23C 18/12
Fターム (16件):
4D075CA22
, 4D075DA06
, 4D075DC21
, 4K022AA03
, 4K022AA41
, 4K022BA10
, 4K022BA15
, 4K022BA21
, 4K022BA25
, 4K022BA33
, 4K022DA06
, 5G323BA04
, 5G323BB01
, 5G323BB02
, 5G323BB06
, 5G323BC01
引用特許:
前のページに戻る