特許
J-GLOBAL ID：200903031868600983

半導体装置およびその製造方法

発明者：
鵜飼 幸弘

鵜飼 幸弘 について

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肥川 哲士

肥川 哲士 について

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澤田 孝司

澤田 孝司 について

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浅川 俊文

浅川 俊文 について


出願人/特許権者：
株式会社メガチップス

株式会社メガチップス について


代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-285123
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193254
出願日： 1994年11月18日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】 トランジスタの製造コストを低減し特性を上げる。【構成】 トランジスタのチャネル53を一旦アモルファスまたは多結晶構造に形成した後、指向性の高いNe原子流を誘電体膜に照射し、ブラベーの法則にて各入射方向に垂直に最稠密面が配向するように単結晶化する。【効果】 2枚のウェハを張り合わせたりせずに上下層を完全誘電体分離する。
請求項（抜粋）：
絶縁ゲート型半導体装置であって、半導体基板と、該半導体基板上に選択的に形成されたソースおよびドレインと、該ソースとドレインとの間に形成されたチャネルと、該チャネルの上面に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜の上面に形成されたゲートとを備え、前記チャネルは単結晶膜で構成されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/78
FI (4件)：
H01L 29/78 311 Y ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 311 G
引用特許：
審査官引用 (24件)
  • 強誘電体層を有する半導体素子及びその製法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-320884   出願人：ローム株式会社
  • 特開平2-184594
  • 特開昭63-286579
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