特許
J-GLOBAL ID：200903031875465676
スイッチング電源装置と半導体集積回路装置及び電源装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-231129
公開番号（公開出願番号）：特開2007-215391
出願日： 2006年08月28日
公開日（公表日）： 2007年08月23日
要約：
【課題】高速応答でしかも安定動作を行うスイッチング電源装置、半導体集積回路装置及び電源装置を提供する。【解決手段】インダクタの出力側と接地電位との間にキャパシタを設ける。第1パワーMOSFETにより入力電圧からインダクタの入力側に電流を供給し、第1パワーMOSFETがオフ状態のときにオン状態となる第2パワーMOSFETによりインダクタの入力側を所定電位にする。インダクタの出力側から得られる出力電圧に対応した第1帰還信号と、第1パワーMOSFETに流れる電流に対応した第2帰還信号とを用いてPWM信号を形成する。第1パワーMOSFETを縦型MOS構造のセルの複数個で構成し、セル数が1/Nにされて第1パワーMOSFETとゲート及びドレインがそれぞれ同一半導体基板で共通にされた検出MOSFETを設けて第2帰還信号を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
インダクタと、
上記インダクタの出力側と接地電位との間に設けられたキャパシタと、
入力電圧から上記インダクタの入力側に電流を供給する第1パワーMOSFETと、
上記第1パワーMOSFETがオフ状態のときにオン状態となって上記インダクタの入力側を所定電位にする第2パワーMOSFETと、
上記インダクタの出力側から得られる出力電圧に対応した第1帰還信号と、上記第1パワーMOSFETに流れる電流に対応した第2帰還信号とを用いてPWM信号を形成して、上記出力電圧が所望の電圧となるように上記第1及び第2パワーMOSFETのゲートに供給する制御信号を形成する制御回路とを含み、
上記第1パワーMOSFETは、縦型MOS構造のセルの複数個から構成され、
上記縦型MOS構造のセルで構成されて、上記第1パワーMOSFETに対してセル数が1/Nにされ、上記第1パワーMOSFETとゲート及びドレイン又はソースが同一半導体基板上で共通にされた検出MOSFETを設けて、上記検出MOSFETに流れる電流に基づいて上記第2帰還信号を形成してなることを特徴とするスイッチング電源装置。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H02M3/155 H
, H02M3/155 C
, H02M3/155 W
5H730AA14
, 5H730AA20
, 5H730AS01
, 5H730BB13
, 5H730BB57
, 5H730BB83
, 5H730BB88
, 5H730BB89
, 5H730DD04
, 5H730DD26
, 5H730DD32
, 5H730EE13
, 5H730EE19
, 5H730FD01
, 5H730FD51
, 5H730FG05
, 5H730FG15
, 5H730XX04
, 5H730XX15
, 5H730XX24
, 5H730XX35
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (10件)
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