特許

J-GLOBAL ID：200903031910191193

光半導体素子の製造方法

発明者： 山本 剛之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-096278
公開番号（公開出願番号）：特開2006-276497
出願日： 2005年03月29日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：

【課題】 光導波路のコア層上に、導電性のクラッド層と半絶縁性のクラッド層を有し、微細パターンを有する光半導体素子を提供する。【解決手段】 第1の導電型を有する第1の半導体層を含む第1の層上に、光導波路層を含む第2の層を形成する第1の工程と、前記第2の層上に半絶縁性半導体層を含む第3の層を形成する第2の工程と、第2の導電型の不純物を前記半絶縁性半導体層に拡散させて、当該半絶縁性半導体層の一部を、第2の導電型を有する第2の半導体層とする第3の工程と、前記第3の工程の後で前記第3の層、前記第2の層、および前記1の層をエッチングしてメサ構造を形成する第4の工程と、前記メサ構造上に前記第2の半導体層と接する金属配線を形成する第5の工程と、を有することを特徴とする光半導体素子の製造方法。【選択図】 図7

請求項（抜粋）：

第1の導電型を有する第1の半導体層を含む第1の層上に、光導波路層を含む第2の層を形成する第1の工程と、 前記第2の層上に半絶縁性半導体層を含む第3の層を形成する第2の工程と、 第2の導電型の不純物を前記半絶縁性半導体層に拡散させて、当該半絶縁性半導体層の一部を、第2の導電型を有する第2の半導体層とする第3の工程と、 前記第3の工程の後で前記第3の層、前記第2の層、および前記1の層をエッチングしてメサ構造を形成する第4の工程と、 前記メサ構造上に前記第2の半導体層と接する金属配線を形成する第5の工程と、を有することを特徴とする光半導体素子の製造方法。

IPC (3件)：

G02F 1/017 ,  H01S 5/026 ,  H01S 5/50

FI (3件)：

G02F1/017 503 ,  H01S5/026 616 ,  H01S5/50 630

Fターム (21件)：

2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA04 ,  2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  2H079EA07 ,  2H079EB04 ,  2H079GA01 ,  2H079HA16 ,  5F173AA26 ,  5F173AA44 ,  5F173AB82 ,  5F173AD14 ,  5F173AH14 ,  5F173AK21 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AP52 ,  5F173AR36 ,  5F173AR92

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体光変調器、それを用いたマッハツェンダ型光変調器、及び半導体光変調器の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-377792   出願人：富士通株式会社
• 特開平2-212804号公報
  

審査官引用 (2件)

• 半導体光変調器、それを用いたマッハツェンダ型光変調器、及び半導体光変調器の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-377792   出願人：富士通株式会社
• 光変調器及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-267090   出願人：富士通カンタムデバイス株式会社, 富士通株式会社