特許

J-GLOBAL ID：200903031919396294

半導体装置の製造方法

発明者： 大川 誠
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-343131
公開番号（公開出願番号）：特開2005-109320
出願日： 2003年10月01日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：

【課題】 SOI基板に対してレーザダイシングを行う場合に、SOI層の膜厚にバラツキがあったとしてもレーザ光が的確に所望の箇所に届くようにする。【解決手段】 BOX3の膜厚dBOXを、レーザダイシングにおけるレーザ光がSOI層1側から、当該SOI層1に対して実質的に平行光線として入射されるとした場合に、レーザ光の波長がλ、nBOXがBOX3の屈折率、mが自然数であるとして、dBOX=m・λ/2nBOX±λ/4を満たす厚さに設定する。例えば1000〜1200nmの厚さとする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

SOI層(1)と支持基板(2)とを絶縁膜(3)を介して接合したSOI基板(4)を用い、前記SOI層(1)に半導体素子を形成したのち、レーザダイシングによりチップ単位に分割する半導体装置の製造方法において、 前記レーザダイシングにおけるレーザ光を前記SOI層(1)側から入射した際に、前記絶縁膜(3)のうち、前記SOI層(1)との界面での前記レーザ光の反射光と、前記支持基板(2)との界面での前記レーザ光の反射光とが、互いに弱め合うように、前記絶縁膜(3)の膜厚を設定することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L21/301

FI (1件)：

H01L21/78 B

引用特許：

出願人引用 (3件)

• レーザ加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-277163   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-031511   出願人：日本電気株式会社
• 基板の切断方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-017621   出願人：松下電子工業株式会社