特許
J-GLOBAL ID：200903031921353004

液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者：
神田 博美

神田 博美 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (4件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-015347
公開番号（公開出願番号）：特開2006-227608
出願日： 2006年01月24日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：
【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用されるレジスト組成物であり、パターンプロファイル、パターン倒れ性に優れた液浸露光用ポジ型レジスト組成物組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することである。【解決手段】(A)脂環炭化水素構造を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有することを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物であって、前記樹脂(A)中における分子量1000以下の成分の割合が、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのパターン面積において全面積に対して20%以下となる量であることを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(A)脂環炭化水素構造を有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有することを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物であって、前記樹脂(A)中における分子量1000以下の成分の割合が、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのパターン面積において全面積に対して20%以下となる量であることを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物。
IPC (4件)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/033 ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R
Fターム (14件)：
2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025BJ10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB56 ,  2H025FA03
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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