半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：合田潔 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-153169
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031985
出願日： 1994年07月05日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】製造コストを低減しつつ、半導体装置の熱放散性を良好な状態に長期間維持する。【構成】ヒートシンク22をアルカリ脱脂した後に水洗処理して乾燥することにより、ヒートシンク22を水酸化処理する。この後、希釈したシランカップリング剤をヒートシンク22の表面に付けて、ヒートシンク22を乾燥し、シランカップリング剤の層Aをヒートシンク22の表面に設ける。さらに、ダイパッド16に搭載されたチップ12及び、ワイヤ20でこのチップ12に接続された状態のリードフレーム18等を金型内に置くと共に、ヒートシンク22をこの金型内に置き、成形加工することにより半導体装置10が製造される。

請求項（抜粋）：

半導体素子を内蔵した半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、前記半導体素子が発生する熱を逃がす金属製のヒートシンクの表面を水酸化処理した後、このヒートシンクの表面にシランカップリング剤の層を設け、この後、前記ヒートシンクの周囲に樹脂材料を成形して、樹脂製のモールド内に前記ヒートシンクを埋め込む、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 23/28 , H01L 23/373

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置用複合リードフレーム
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-017225 出願人：日立電線株式会社
特開昭55-143057
特開昭60-210855

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