特許

J-GLOBAL ID：200903031958986724

薄膜半導体装置の製造方法

発明者： 坂口 清文 ,  米原 隆夫
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 西山 恵三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-023848
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231912
出願日： 2001年01月31日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】 少ない工程で、且つ分離の際のデバイス形成層への影響を少なくした薄膜半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体素子及び/又は半導体集積回路140を備えた半導体膜110を分離層100上に有する部材を用意する工程、該部材の該半導体膜側から切り込み溝150を形成する溝形成工程、及び該溝形成工程後、該半導体素子及び/又は半導体集積回路140の所望の領域を該部材から分離する分離工程を有することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体素子及び/又は半導体集積回路を備えた半導体膜を分離層上に有する部材を用意する工程、該部材の該半導体膜側から切り込み溝を形成する溝形成工程、及び該溝形成工程後、該半導体素子及び/又は半導体集積回路の所望の領域を該部材から分離する分離工程を有することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/301

FI (4件)：

H01L 27/12 Z ,  H01L 21/265 Q ,  H01L 21/78 Q ,  H01L 21/78 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 部材の分離方法及び分離装置並びに基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-240140   出願人：キヤノン株式会社
• 特開平4-305945
  
• 半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-290932   出願人：シャープ株式会社