フォトマスクおよび半導体装置およびフォトマスクを用いた露光方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-270178
公開番号（公開出願番号）：特開2001-092109
出願日： 1999年09月24日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】写真製版工程におけるレジスト位置ずれを抑制する。【解決手段】フォトマスク基板上にマスク上回路パターンと全体もしくは一部が実質的に同一のマスク上比較パターンおよびマスク上測定パターンと全体もしくは一部が実質的に同一のマスク上検査パターンを近接して設ける。

請求項（抜粋）：

フォトマスク基板と、前記フォトマスク基板上に形成されたマスク上回路領域とマスク上測定マーク領域と、前記マスク上回路領域に形成されたマスク上回路パターンと、前記マスク上測定マーク領域に形成されたマスク上測定パターンとを有するフォトマスクにおいて、前記フォトマスク基板上にマスク上写真製版検査マーク領域を有し、前記マスク上写真製版検査マーク領域には前記マスク上回路パターンと全体もしくは一部が実質的に同一形状であるマスク上比較パターンと、前記マスク上測定パターンと全体もしくは一部が実質的に同一形状であるマスク上検査パターンとが形成され、前記マスク上比較パターンと前記マスク上検査パターンは近接して配置されていることを特徴とするフォトマスク。

IPC (4件)：

G03F 1/08 , G03F 7/20 521 , G03F 9/00 , H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 1/08 N , G03F 7/20 521 , G03F 9/00 H , H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 522 Z

Fターム (6件)：

2H095BE03 , 2H095BE08 , 2H095BE09 , 5F046AA25 , 5F046EA02 , 5F046EB02

引用特許：

審査官引用 (5件)

重ね合わせ誤差測定用レチクル、そのレチクルを用いた重ね合わせ誤差測定方法および重ね合わせ誤差測定マーク
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-051542 出願人：三菱電機株式会社
レチクルおよびそれを用いた露光装置ならびに露光方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-006014 出願人：三菱電機株式会社
投影光学系の収差測定方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-339703 出願人：株式会社ニコン

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