特許

J-GLOBAL ID：200903031967382360

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者： 奥 保成 ,  亀井 英徳
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-142681
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340505
出願日： 1998年05月25日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】 動作電圧を更に一層低減できるとともに発光出力を高くし得る窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を得て屋外用ディスプレイ装置等への最適化を図ることを目的とする。【解決手段】 基板1の上に、窒化ガリウム系化合物半導体からなるn型クラッド層3と発光層4とp型クラッド層4とを順に積層し、p型クラッド層4は、禁制帯幅が発光層4に近い側から離れる側に向けて収斂するように、窒化ガリウム系化合物半導体の組成配分を層厚方向にほぼ一様な変化率または不連続な変化率で変化させて形成する。

請求項（抜粋）：

基板の上に、窒化ガリウム系化合物半導体からなるn型クラッド層と発光層とp型クラッド層とを順に積層した窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記p型クラッド層は、禁制帯幅が前記発光層に近い側から離れる側に向けて収斂するように、窒化ガリウム系化合物半導体の組成配分を層厚方向に変化させてなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-098230   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-199390   出願人：富士通株式会社