特許
J-GLOBAL ID：200903088988699292

半導体レーザ

発明者：
倉又 朗人

倉又 朗人 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-199390
公開番号（公開出願番号）：特開平10-051070
出願日： 1996年07月29日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】 短波長光の発振に適したGaN系半導体を用いた半導体レーザに関し、p型電極のコンタクト抵抗が低いGaN系半導体レーザを提供することである。【解決手段】 GaNを少なくとも成分として含むGaN系半導体を用い、活性層、n型クラッド層、p型クラッド層を含むレーザ構造と、前記p型クラッド層上に形成され、p型InNまたはp型Inx Ga1-x N(x>0.2)で形成されたp型コンタクト層とを有する。
請求項（抜粋）：
GaNを少なくとも成分として含むGaN系半導体を用い、活性層、n型クラッド層、p型クラッド層を含むレーザ構造と、前記p型クラッド層上に形成され、p型InNまたはp型Inx Ga1-x N(x>0.2)で形成されたp型コンタクト層とを有する半導体レーザ。
IPC (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
引用特許：
審査官引用 (5件)
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