特許

J-GLOBAL ID：200903099792279726

半導体発光素子

発明者： 上村 信行 ,  石橋 明彦 ,  粂 雅博 ,  伴 雄三郎 ,  武石 英見
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-098230
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289351
出願日： 1996年04月19日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【課題】 低抵抗のp型オーミックコンタクト接触を実現し、しきい値電圧が従来より低い、Nを含有するIII-V族化合物より構成される半導体発光素子を提供する。【解決手段】 n型SiC(0001)基板上に作製された、Nを含有するIII-V族化合物より構成されるダブルヘテロ構造の上に、p型コンタクト層としてp型のGa0.9In0.1Nよりなるクラッド層を形成する。そうすることにより、p型コンタクト層と電極金属との間の価電子帯のポテンシャルバリアが低減し、従来より低いしきい値電圧が実現する。

請求項（抜粋）：

サファイア基板と、前記サファイア基板上に積層された、Nを含むIIIーV族化合物より成るダブルヘテロ構造と、前記ダブルヘテロ構造の上に積層されたp型の導電性を有する、Ga1-xInxN(0≦x≦1)から構成されるコンタクト構造を有することを特徴とする半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-233179   出願人：ローム株式会社
• 薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-055962   出願人：株式会社東芝
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-305257   出願人：旭化成工業株式会社
• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-033659   出願人：住友化学工業株式会社