特許

J-GLOBAL ID：200903031977176342

半導体装置の製造方法

発明者： 矢野 博之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-331945
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181192
出願日： 1992年12月11日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：

【要約】【目的】基板上に形成された凹凸を有する被加工層を完全に平坦化できる平坦化方法を提供すること。【構成】Si基板1上に形成された凹凸部を有するSiO2 膜4の全面に、研磨速度がSiO2 膜4のそれより遅い膜としてポリシリコン膜5を形成する工程と、ポリシリコン膜5,SiO2 膜4を研磨して、SiO2 膜4を平坦化する工程とを備えている。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された凹凸部を有する被加工膜の全面に、研磨速度が前記被加工膜のそれより遅い研磨補助膜を形成する工程と、前記研磨補助膜が形成された側の基板表面を研磨して、前記被加工膜を平坦化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 選択平坦化ポリッシング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-318904   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭62-114242
  
• 半導体装置を平坦化する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-275904   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション