特許

J-GLOBAL ID：200903031986495019

半導体装置及びその製造方法

発明者： 横山 孝司 ,  山田 義明 ,  岸本 光司
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-080672
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275859
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：

【要約】【課題】 配線上のプラズマSiOF酸化膜の密着性を確保し、配線スペース部への埋設性を向上させる。【解決手段】 第1の配線を形成するために、Si酸化膜102上に配線用のAl系金属103をスパッタし、続いてTiN反射防止膜105、Si酸化膜106を成膜する。続いて周知のリソグラフィー工程でレジストパターン107を形成し、Si酸化膜106をパターニングする。このパターニングしたSi酸化膜106をマスクとしてAl系金属をエッチングする。この後プラズマSiOF膜を成膜する。この工程により配線上のプラズマSiOF酸化膜の密着性が向上し、配線スペース間への埋設性が向上する。

請求項（抜粋）：

絶縁膜で表面が覆われた半導体基板上の配線の上表面は、絶縁膜、高融点金属あるいはその化合物の層構造からなるものであり、前記配線及び前記絶縁膜表面は、フッ素含有Si酸化膜(SiOF膜)で覆われたものであることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/90 K ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/316 X

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-298344   出願人：三菱電機株式会社
• プラズマエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-317518   出願人：住友金属工業株式会社