特許
J-GLOBAL ID：200903032008302914
化合物半導体多結晶の合成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上田 章三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-355587
公開番号（公開出願番号）：特開2003-160315
出願日： 2001年11月21日
公開日（公表日）： 2003年06月03日
要約：
【要約】【課題】 合成用ボートの再使用寿命の改善が図れるIII-V族化合物半導体多結晶の合成方法を提供すること。【解決手段】 スリット51を有するボート4内にIII族原料を充填し、これを封管内の一端側に配置する一方、他端側にはV族原料を配置し、この状態で上記封管を加熱してIII-V族化合物半導体多結晶を合成する方法であって、ボート本体50の両開放端側筒壁にその開放縁部からスリット端方向へ延びる帯状切欠部52を設け、その外周縁に上記帯状切欠部に嵌合される突起片71が設けられた円形状の耐熱性フィルム体70を間に介在させた状態でボート本体の両開放端に蓋材60を螺着して上記ボート4が構成されていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
上部長手方向に直線状のスリットが開設された円筒状ボート本体とこのボート本体の両開放端に螺着される蓋材とでその主要部が構成されるボート内にIII族原料を充填し、このボートを封管内の一端側に配置する一方、封管内の他端側にはV族原料を配置し、上記封管全体を加熱すると共にボート内のIII族原料を局所的に更に高温に加熱してV族原料から発生した原料ガスと上記III族原料を反応させ、かつ、上記高温部を徐々に相対移動させながらIII-V族化合物半導体多結晶を合成する化合物半導体多結晶の合成方法において、ボート本体の両開放端側筒壁面にその開放縁部から上記スリット端方向へ延びる帯状切欠部をそれぞれ設けると共に、ボート本体の開放面よりわずかに大きくかつその外周縁の一部に上記帯状切欠部に嵌合される突起片が設けられた円形若しくは多角形状の耐熱性フィルム体を間に介在させた状態でボート本体の両開放端に蓋材をそれぞれ螺着して上記ボートが構成されていることを特徴とする化合物半導体多結晶の合成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C01B 25/08 A
, H01L 21/205
5F045AB11
, 5F045AD07
, 5F045AD08
, 5F045AD09
, 5F045AD10
, 5F045AE30
, 5F045BB08
, 5F045DQ01
, 5F045DQ08
, 5F045EK02
, 5F045EK27
, 5F045EK30
, 5F045EM09
, 5F045EM10
