特許
J-GLOBAL ID：200903032015289923

デュアルダマシン配線の形成方法

発明者：
池田 真義

池田 真義 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-363555
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188330
出願日： 1998年12月21日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：
【要約】【課題】 エッチング工程において層間絶縁膜のエッチング残りに起因して配線内に異物が残存することがなく、配線不良を生じることがないデュアルダマシン配線の形成方法を提供する。【解決手段】 下層導体層21上に層間絶縁膜22を形成し、この層間絶縁膜22上にビアホールパターン31の開口を有するレジスト膜23を形成する。そして、このレジスト膜23をマスクとして層間絶縁膜22をエッチングしてビアホール32を形成し、ホール32内を層間絶縁膜よりもエッチング速度が速い材料で埋め込むことにより埋込膜24を形成する。その後、埋込膜22上に配線溝パターン33の開口を有するレジスト膜25を形成し、このレジスト膜25をマスクとして埋込膜24及び層間絶縁膜22をエッチングして層間絶縁膜22に配線溝34を形成する。
請求項（抜粋）：
下層導体層上に層間絶縁膜を形成する工程と、この層間絶縁膜上にホールパターンの開口を有する第1レジスト膜を形成する工程と、前記第1レジスト膜をマスクとして前記層間絶縁膜をエッチングしてホールを形成する工程と、前記ホールを前記層間絶縁膜よりもエッチング速度が速い材料で埋め込むことにより埋込膜を形成する工程と、前記埋込膜上に配線溝パターンの開口を有する第2レジスト膜を形成する工程と、この第2レジスト膜をマスクとして前記埋込膜及び層間絶縁膜をエッチングして前記層間絶縁膜に配線溝を形成する工程と、を有することを特徴とするデュアルダマシン配線の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/3065
FI (2件)：
H01L 21/90 C ,  H01L 21/302 J
Fターム (31件)：
5F004AA03 ,  5F004AA11 ,  5F004CA01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004EA26 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F033KK01 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ18 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033TT01
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-311384   出願人：新日本製鐵株式会社
  • 配線形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-151481   出願人：ソニー株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-345630   出願人：株式会社東芝

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