シリコンの製造装置および方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-333477
公開番号（公開出願番号）：特開2003-095632
出願日： 2001年09月26日
公開日（公表日）： 2003年04月03日
要約：

【要約】【課題】高純度シリコンの気相法亜鉛還元法による製造装置において、炉内壁などを高純度シリカを重金属フリーのバインダーで処理した離型材を塗布することにより、反応炉内の構造物に付着した製品取り出しが容易なようにした製造装置及び製造方法を提供する。【解決手段】反応炉内の構造物に高純度シリコンを使用し、その構造物に付着した高純度シリコンをそのまま取り出す場合に、炉内壁などは離型材を塗布することにより、製品品質の向上を図り作業の簡易化、製造時間の短縮を図り製品コストの削減を図ることが出来る。

請求項（抜粋）：

高純度亜鉛及び高純度四塩化珪素を使用した四塩化珪素の亜鉛還元法に係わる反応炉の内部構造にかかわり、反応時析出・付着させてそのまま製品として使用する高純度シリコン製内部構造物以外の炉内壁などに、シリコンに対する離型材として高純度シリカを重金属フリーのバインダーで処理して塗布し、析出・生成物の取り出し分離を容易にすることにより製品シリコン品質を向上し生産性の向上を図る高純度シリコン製造装置。

Fターム (8件)：

4G072AA01 , 4G072GG01 , 4G072GG03 , 4G072HH08 , 4G072JJ09 , 4G072MM01 , 4G072RR04 , 4G072UU02

引用特許：

審査官引用 (3件)

特公昭36-019254
多結晶シリコンの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-285503 出願人：東亞合成化学工業株式会社, 東燃化学株式会社
シリコンの鋳造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-340125 出願人：京セラ株式会社

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