特許

J-GLOBAL ID：200903032029416642

拡散障壁層およびこれを含む半導体デバイス

発明者： スティーブン・アラン・コーエン ,  ティモシー・ジョーゼフ・ドールトン ,  ジョン・アンソニー・フィッツシモンズ ,  ステファン・マッコーネル・ゲイツ ,  リン・エム・ギグナック ,  ポール・チャールズ・ジャミソン ,  カンウク・リー ,  サンパス・プルショサマン ,  ダリル・ディー・レスタイノ ,  エヴァ・シモニー ,  ホレイショー・シーモア・ワイルドマン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-033679
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274250
出願日： 2001年02月09日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】 拡散障壁層を含む半導体デバイスを提供すること。【解決手段】 半導体デバイスは、少なくとも、導電性金属要素を含む半導体基板と、この導電性金属要素に接触して基板の少なくとも一部に付着された拡散障壁層であって、上面および下面および中央部分を有し、ケイ素、炭素、窒素、および水素から形成され、この窒素が拡散障壁層の全体にわたって不均一に分布している拡散障壁層とを含む。このため、拡散障壁層の中央部分に比べて拡散障壁層の下面および上面付近での窒素の濃度がより高い。この半導体デバイスを作製する方法も提供される。

請求項（抜粋）：

半導体デバイス用の拡散障壁層であって、上面および下面および中央部分を有し、ケイ素、炭素、窒素、および水素を含み、前記窒素が拡散障壁層の全体にわたって不均一に分布している拡散障壁層。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 J ,  H01L 21/90 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 絶縁膜ならびにその絶縁膜を有する半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-148017   出願人：日本電気株式会社
• 銅相互接続構造および形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-097400   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• 炭化ケイ素の金属拡散障壁層
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-012429   出願人：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション