特許

J-GLOBAL ID：200903081230596544

絶縁膜ならびにその絶縁膜を有する半導体装置とその製造方法

発明者： 松原 義久 ,  野口 江 ,  伊藤 信哉 ,  小田 典明 ,  松本 明 ,  石上 隆司 ,  中前 正彦 ,  堀内 忠彦 ,  遠藤 和彦 ,  辰巳 徹 ,  松本 良成
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-148017
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223625
出願日： 1997年06月05日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】 実プロセスに耐える非晶質弗化炭素膜の低誘電率配線層間絶縁膜の構造と製造方法を提供する。【解決手段】 配線層間に挿入する非晶質弗化炭素膜の両面にはそれぞれダイアモンド・ライク・カーボン膜とシリコン過剰層を配することでそれと接する配線やその他絶縁膜との密着性を格段に向上する。さらに、配線層を埋め込んだ非晶質弗化炭素膜を含んだ多層膜状にはシリコン系絶縁膜を配してこれを平坦化すると共に、このシリコン系絶縁膜をハードマスクとしてダイアモンド・ライク・カーボン膜ならびに非晶質弗化炭素膜を酸素プラズマによる異方性エッチングしてビアホールを形成する。

請求項（抜粋）：

非晶質弗化炭素膜の一主面上に水素を含有したダイアモンド・ライク・カーボン膜を被覆してなることを特徴とする絶縁膜。

IPC (4件)：

H01L 21/314 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/205

FI (5件)：

H01L 21/314 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/90 V ,  H01L 21/90 M

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体デバイスおよび相互接続構造の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-173771   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• フッ素を含むシリコン系酸化膜およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-140453   出願人：ソニー株式会社
• 半導体素子における配線構造とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-161708   出願人：ソニー株式会社