特許
J-GLOBAL ID：200903032079739302

CVD用原料化合物及びイリジウム又はイリジウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法

発明者：
齋藤 昌幸

齋藤 昌幸 について

, 
寒江 威元

寒江 威元 について


出願人/特許権者：
田中貴金属工業株式会社

田中貴金属工業株式会社 について


代理人 (1件)： 田中 大輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-129502
公開番号（公開出願番号）：特開2003-321416
出願日： 2002年05月01日
公開日（公表日）： 2003年11月11日
要約：
【要約】【解決課題】 イリジウム又はイリジウム化合物薄膜を製造するためのCVD用原料化合物において、常温で液体状態であることを前提とし、更に蒸気圧が高く薄膜の製造効率に優れると共に酸素との反応性に優れ、酸化イリジウム薄膜の製造も可能なもの提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、有機イリジウム化合物を主成分とするCVD用原料化合物であって、有機イリジウム化合物がトリス(5-メチル-2,4-ヘキサンジオナト)イリジウムからなるCVD用原料化合物である。この原料化合物を用いた化学気相蒸着方法によれば、優れたモホロジーの純イリジウム薄膜及び酸化イリジウム薄膜を効率よく製造することができる。
請求項（抜粋）：
有機イリジウム化合物を主成分とするCVD用原料化合物であって、前記有機イリジウム化合物は、次式で示されるトリス(5-メチル-2,4-ヘキサンジオナト)イリジウムからなるCVD用原料化合物。【化1】
IPC (4件)：
C07C 49/92 ,  C07F 15/00 ,  C23C 16/18 ,  H01L 27/105
FI (4件)：
C07C 49/92 ,  C07F 15/00 E ,  C23C 16/18 ,  H01L 27/10 444 C
Fターム (19件)：
4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB78 ,  4H006AB91 ,  4H050AA01 ,  4H050AA03 ,  4H050AB78 ,  4H050AB91 ,  4H050WB13 ,  4H050WB21 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA01 ,  4K030BA42 ,  4K030FA10 ,  5F083FR01 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083PR21
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM