特許
J-GLOBAL ID：200903032081465937
ウエハ検査装置
発明者：
,
,
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-127467
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330186
出願日： 1998年05月11日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】半導体ウエハの高速で高分解能な外観検査と、異物や欠陥の存在部位からTEM観察や各種分析のための試料を高い位置精度で一貫して作製することのできる検査装置を提供すること。【解決手段】同一検査装置内に、ウエハ検査用の走査型電子顕微鏡部(SEM部)1と試料作製加工用のイオンビーム部101とを併設し、SEM部1によるウエハ7の外観検査と、この検査結果に基づいての、ウエハ7上の欠陥(異物やパターン欠陥)の存在部位からのTEM観察や各種分析のための試料の摘出加工作業とを、同一ステージ8上で一貫して行なえるようにした。【効果】ウエハの外観検査と試料作製加工とを同一ステージ上で一貫して行なうため、従来のようなウエハ搬送による位置精度低下が無くなり、高い位置精度で試料作製,欠陥修正等の加工ができる。
請求項（抜粋）：
電子発生装置,電子走査装置,電子収束装置,検出装置から構成される走査型電子顕微鏡部(SEM部)と、上記SEM部に対して相対的に二次元移動可能なステージと、上記SEM部からの二次電子信号を用いてSEM像を生成する画像生成装置と、上記SEM像を利用して上記ステージ上に載置した半導体ウエハ上に存在する欠陥(異物やパターン不良等)を検出して該欠陥存在位置情報(座標データ)を含んだ欠陥マップを生成する画像解析装置とを備えたウエハ検査装置において、上記半導体ウエハを上記ステージ上に載置したままの状態で上記半導体ウエハの特定部位を上記座標データに基づいて加工することの可能な加工部をさらに備えてなることを特徴とするウエハ検査装置。
IPC (5件)：
H01L 21/66
, G01N 23/225
, H01J 37/20
, H01J 37/22 502
, H01J 37/30
H01L 21/66 Z
, H01L 21/66 J
, G01N 23/225
, H01J 37/20 Z
, H01J 37/22 502 A
, H01J 37/30 Z
