特許
J-GLOBAL ID：200903032108763838

面発光半導体レーザ素子

発明者：
横内 則之

横内 則之 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-118487
公開番号（公開出願番号）：特開2000-312050
出願日： 1999年04月26日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：
【要約】【課題】 光出力の低減と動作電圧の低減の双方を実現することができるGaAs系の面発光半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 上部反射鏡層構造5と下部反射鏡層構造2の間に発光層4を配置した半導体の層構造が基板1の上に形成され、かつ波長880nmより短波長のレーザ光を基板1の上方に向かって垂直に発振する面発光半導体レーザ素子において、上部反射鏡層構造の上方にGaAs層6を設け、かつ、そのGaAs層の厚みを変化させることによりレーザ光の光出力を調整することができ、具体的には、上部反射鏡層構造の上方に厚み100nm以上のGaAs層6を設けた面発光半導体レーザ素子。
請求項（抜粋）：
上部反射鏡層構造と下部反射鏡層構造の間に発光層を配置した半導体の層構造が基板の上に形成され、かつ波長880nmより短波長のレーザ光を前記基板の上方に向かって垂直に発振する面発光半導体レーザ素子において、前記上部反射鏡層構造の上方にGaAs層を設け、かつ、前記GaAs層の厚みを変化させることにより前記レーザ光の光出力が調整されていることを特徴とする面発光半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S 5/18 ,  H01S 5/323
FI (2件)：
H01S 3/18 650 ,  H01S 3/18 673
Fターム (7件)：
5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073BA02 ,  5F073CA04 ,  5F073CA15 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (5件)
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