特許
J-GLOBAL ID：200903061102253056

光吸収層を有する垂直共振器レーザダイオード

発明者：
トルステン ヴィピージェウスキー

トルステン ヴィピージェウスキー について


出願人/特許権者：
インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト

インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト について


代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-603123
公開番号（公開出願番号）：特表2002-538631
出願日： 2000年02月25日
公開日（公表日）： 2002年11月12日
要約：
【要約】本発明は、垂直共振器レーザダイオード(10,20)であって、第1のブラッグ反射器シーケンス(2)と第2のブラッグ反射器層シーケンス(4)との間に、活性層シーケンス(3)が、レーザビームの形成のために設けられており、各シーケンスの各々が、多数のミラー対(22,44)を有しており、両ブラッグ反射器層シーケンス(2,4)は、レーザ共振器を構成しており、両ブラッグ反射器層シーケンス(2,4)及び活性層シーケンス(3)は、第1の電気コンタクト層(7)と第2の電気コンタクト層(8)との間に設けられており、両ブラッグ反射器層シーケンス(2,4)のうちの一方のブラッグ反射器層シーケンス(4)は、活性層シーケンス(3)内に形成されたレーザビームに対して部分透過性であり、その際、所定の光吸収を行う少なくとも1つの光吸収層(9)が、部分透過性ブラッグ反射器層シーケンス(4)と、第1の電気コンタクト層(7)との間に設けられており、又は、第1の電気コンタクト層(7)の光出口面上に設けられている。
請求項（抜粋）：
垂直共振器レーザダイオード(10,20)であって、-第1のブラッグ反射器シーケンス(2)と第2のブラッグ反射器層シーケンス(4)との間に、活性層シーケンス(3)が、レーザビームの形成のために設けられており、前記各シーケンスの各々が、多数のミラー対(22,44)を有しており、-前記両ブラッグ反射器層シーケンス(2,4)は、レーザ共振器を構成しており、-前記両ブラッグ反射器層シーケンス(2,4)及び前記活性層シーケンス(3)は、第1の電気コンタクト層(7)と第2の電気コンタクト層(8)との間に設けられており、-前記両ブラッグ反射器層シーケンス(2,4)のうちの一方のブラッグ反射器層シーケンス(4)は、前記活性層シーケンス(3)内に形成されたレーザビームに対して部分透過性である垂直共振器レーザダイオードにおいて、-所定の光吸収を行う少なくとも1つの光吸収層(9)が、部分透過性ブラッグ反射器層シーケンス(4)の光出口面上に設けられていることを特徴とする垂直共振器レーザダイオード(10,20)。
IPC (2件)：
H01S 5/187 ,  H01S 5/223
FI (2件)：
H01S 5/187 ,  H01S 5/223
Fターム (8件)：
5F073AA07 ,  5F073AA65 ,  5F073AA89 ,  5F073AB17 ,  5F073BA02 ,  5F073CB19 ,  5F073EA26 ,  5F073EA27
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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