特許
J-GLOBAL ID：200903099612195040
面発光型半導体レーザ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-039580
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242560
出願日： 1997年02月24日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】面発光型半導体レーザのレーザ発光特性を損なうことなく、レーザ光の偏光面を制御できる構造を備えた面発光型半導体レーザを提供すること。【解決手段】基板と垂直な方向にレーザ光を出射する面発光型半導体レーザにおいて、p型クラッド層107の途中までエッチングされた柱状部分115が形成される。この柱状部分115の周囲を絶縁層111で埋め込み、さらに側面金属層112は、この絶縁層111上に、柱状部分115を挟んで対向するように形成されている。さらに側面金属層112は、コンタクト層110上に円形の開口116を有する様に形成されたコンタクト金属層113と連続しており、電流注入のための電極も兼ねている。
請求項（抜粋）：
基板上に一対の反射ミラーと、前記一対の反射ミラーの間に形成され、少なくとも活性層及びクラッド層を含む多層の半導体層と、を有する光共振器が形成された前記基板と垂直な方向にレーザ光を出射する面発光型半導体レーザにおいて、前記光共振器は、前記多層の半導体層の上層側が柱状に形成された柱状部分とされ、前記柱状部分の端面に望んで開口を有する上部電極がさらに設けられ、前記柱状部分の基板に対して平行方向の横断面形状が円形であり、前記柱状部分の側面に金属層が、柱状部分を中心として対向する位置に形成されたことを特徴とする面発光型半導体レーザ。
引用特許：
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