不揮発性半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-118093
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316343
出願日： 1995年05月17日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【構成】本発明の不揮発性半導体記憶装置は、電荷蓄積層を有するMOSトランジスタから構成され、前記電荷蓄積層に注入する電荷量により、低い順に第1、第2、第3及び第4のしきい値範囲をとることにより4値のデータを記憶する不揮発性半導体記憶装置において、電荷蓄積層に電荷を蓄積しない状態において、しきい値が第2及び第3のしきい値範囲の間に設定されている。【効果】電荷保持寿命をのばすことができる。

請求項（抜粋）：

電荷蓄積層を有するMOSトランジスタから構成され、前記電荷蓄積層に注入する電荷量により、低い順に第1、第2、第3及び第4のしきい値範囲をとることにより4値のデータを記憶する不揮発性半導体記憶装置において、前記電荷蓄積層に電荷を蓄積しない状態において、しきい値が前記第2及び第3のしきい値範囲の間に設定されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 16/02 , G11C 16/04 , H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 29/78 371 , G11C 17/00 307 D , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-040198
不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-080069 出願人：新日本製鐵株式会社
特開平4-364075

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