特許
J-GLOBAL ID：200903032162042100

半導体装置及びその作製方法

発明者：
本田 達也

本田 達也 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-274705
公開番号（公開出願番号）：特開2007-134687
出願日： 2006年10月06日
公開日（公表日）： 2007年05月31日
要約：
【課題】半導体膜と電極又は配線との接触抵抗を低減し、かつ半導体膜と電極又は配線との被覆率を改善し、特性を向上させた半導体装置を得ることを課題とする。【解決手段】基板上にゲート電極と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に第1のソース電極又はドレイン電極と、前記第1のソース電極又はドレイン電極上に島状半導体膜と、前記島状半導体膜及び前記第1のソース電極又はドレイン電極上に第2のソース電極又はドレイン電極とを有し、前記第2のソース電極又はドレイン電極は前記第1のソース電極又はドレイン電極と接触しており、前記第1のソース電極又はドレイン電極及び第2のソース電極又はドレイン電極が前記島状半導体膜を挟みこんでいる半導体装置及びその作製方法に関するものである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に、ゲート電極と、 前記ゲート電極上にゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に、第1のソース電極又はドレイン電極と、 前記第1のソース電極又はドレイン電極上に、島状半導体膜と、 前記島状半導体膜及び前記第1のソース電極又はドレイン電極上に、第2のソース電極又はドレイン電極と、 を有し、 前記第2のソース電極又はドレイン電極は、前記第1のソース電極又はドレイン電極と接触しており、 前記第1のソース電極又はドレイン電極及び第2のソース電極又はドレイン電極が、前記島状半導体膜を挟みこんでいることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/417
FI (4件)：
H01L29/78 616T ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/44 L ,  H01L29/50 M
Fターム (81件)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104DD51 ,  4M104FF01 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH13 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HM02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ23
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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