薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-102928
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311702
出願日： 2003年04月07日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】半導体に酸化亜鉛薄膜を用いた薄膜トランジスタを高い生産性で安価に製造することができ、また、得られる半導体の電界効果移動度の大きな、薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】薄膜トランジスタ26は、基板28上に、ゲート電極30、ゲート絶縁膜32、活性半導体層34が順次設けられ、さらに活性半導体層34の対向する両側を覆うコンタクト層36、36を介してソース電極38およびドレイン電極40が設けられる。活性半導体層34は、イオンプレーティング法で形成される酸化亜鉛薄膜からなるn-型半導体である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体として酸化亜鉛薄膜を用いる薄膜トランジスタの製造方法であって、イオンプレーティング法により該酸化亜鉛薄膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (6件)：

H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/24 , C23C14/32 , H01L21/336 , H01L21/363

FI (6件)：

H01L29/78 618B , C23C14/08 C , C23C14/24 F , C23C14/32 B , H01L21/363 , H01L29/78 618A

Fターム (36件)：

4K029BA49 , 4K029BD00 , 4K029BD01 , 4K029DD05 , 4K029DD06 , 5F103AA02 , 5F103DD30 , 5F103HH04 , 5F103KK10 , 5F103LL13 , 5F103NN01 , 5F103RR05 , 5F110AA01 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110GG01 , 5F110GG32 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK03 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-223042 出願人：ミノルタ株式会社
多結晶シリコン薄膜積層体、シリコン薄膜太陽電池および薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-334123 出願人：株式会社リコー
ITO膜を形成した基板及びITO膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-005313 出願人：日本板硝子株式会社, 住友重機械工業株式会社

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