特許
J-GLOBAL ID：200903032163093566

窒化シリコン膜の形成方法

発明者：
吉越 俊一

吉越 俊一 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-213850
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064205
出願日： 1995年08月22日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】 リーク電流が少なく、耐酸化性に優れ、部分的に酸化レートが大きく、電荷トラップを多く含む窒化シリコン膜の形成方法を提供する。【解決手段】 窒化シリコン膜2を形成した後、該窒化シリコン膜2にシリコンSi,窒素Nまたは酸素Oを添加する。添加する位置は、シリコンであれば、窒化シリコン膜2の上層側が好ましく、窒素でば窒化シリコン膜の下層側が好ましい。添加する方法は、イオン注入である。MONOS素子、フローティングゲート型メモリ素子、DRAM用キャパシタなどの絶縁膜に用いて好適である。
請求項（抜粋）：
窒化シリコン膜を形成した後、該窒化シリコン膜にシリコンから成る添加物を添加する工程を有することを特徴とする窒化シリコン膜の形成方法。
IPC (6件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (4件)：
H01L 29/78 371 ,  H01L 21/318 B ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 651
引用特許：
審査官引用 (10件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-026623   出願人：川崎製鉄株式会社
  • 特開平1-170049
  • 特開昭54-022178
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